开始！我国芯片产业取得新进展。

光刻技术是推动集成电路芯片制造工艺持续萎缩的核心驱动力之一。近日，北京大学化学与分子工程学院彭海林教授团队与合作者利用低温电子断层扫描技术，首次原位分析了液体环境中光刻胶分子的精细三维结构、界面分布和纠缠行为，开发出可显着减少光刻缺陷的工业解决方案。相关论文最近发表在《自然通讯》上。 “显影”是光刻的核心过程之一。显影剂溶解光刻胶的曝光区域，并将电路图案精确地转移到硅晶圆上。光刻胶就像绘制电路的颜料。他们的动作对开发人员来说直接决定了准确性和质量电路图的质量，进而影响芯片的性能。长期以来，光刻胶在开发解决方案时的微观行为是一个“黑匣子”，行业中的工艺优化基于反复试验。这是限制7纳米以下先进工艺性能提升的主要障碍之一。为了解决这个问题，研究团队首先将低温电子断层扫描技术引入半导体领域。最终，研究人员合成了分辨率超过五纳米的三维微观“全景图”，克服了常规技术的三大难题：原位观察和高分辨率三维观察。彭海林表示，断层扫描技术为冷冻电子学提供了在原子/分子尺度上分析各种液相界面反应的有力工具。深入了解聚合物在液体中的结构和微观行为有助于改善先进制造工艺中光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的缺陷控制和性能。来源 |科技期刊 特别提示：以上内容（包括图片、视频，如有）由自有媒体平台“网易账号”用户上传发布。本平台仅提供信息存储服务。 注：以上内容（包括图片和视频，如有）由仅提供存储服务的社交媒体平台网易号用户上传和发布。